
DRAM-MODUL
Unser Konzernunternehmen wurde 2008 gegründet und ist seit fast 15 Jahren im OEM-Flash-Speicherbereich, OEM-DRAM-Modul, OEM-SSD, OEM-USB-FLASH-LAUFWERK, OEM-TF-KARTE, als professioneller OEM-Flash-Speicherlieferant tätig. Wir haben uns darauf konzentriert, Service für große Markenkunden anzubieten , Haupthändler und Länderverteiler. Um Händler und Länderhändler besser zu unterstützen, haben wir sowohl in Hongkong als auch in ShenZhen regelmäßig fertige Waren. Wir haben jeden Monat mehr als 1 Million Stück verkauft.
Wir unterstützen hauptsächlich DDR3, DDR4 für Kunden, die auch SSD-Geschäfte tätigen, für Markenkunden oder Computerfabriken, wir haben auch LPDDR, das jetzt nur große Mobiltelefon- und IPAD-Kunden in China Inland und einige Smartwatch-Kunden unterstützt. Mit seiner hohen Leistung und seinem geringeren Verbrauch eignet es sich gut für kleine intelligente Geräte.
Dram/LPDDR Technischer Parameter:
PRODUKTKATEGORIE | SPEZIFIKATION / | DICHTE | PAKET | BETRIEBS |
DRAM | DRAM-D3 | 2 GB / 4 GB | FBGA 96 Kugel | 25 Grad ~85 Grad |
DRAM-D4 | 4 GB / 8 GB | FBGA 96 Kugel | ||
DRAM-Modul | U-DIMM | 4 GB / 8 GB / 16 GB / 32 GB | / | 0 Grad - 85 Grad |
SO-DIMM | ||||
R-DIMM | 8GB/16GB/32GB | / | 0 Grad - 85 Grad | |
LPDDR | LP-DDR4 | 2 GB / 3 GB / 4 GB / 6 GB / 8 GB | 200Ball | 0 Grad - 70 Grad |
Spezifikationen:
Produktmodell Nr. | Spezifikation | Dichte | Abmessungen | Paket |
DRAM-U-DIMM | 8 GB X8/X16 | 8 GB | 7,5 x 13,3 mm | 78Ball/96Ball |
DRAM-U-DIMM | 16 GB X8/X16 | 16 GIGABYTE | 10,3 x 11 mm | 78Ball/96Ball |
DRAM-U-DIMM | 32 GB X8/X16 | 32 GB | 10,3 x 11 mm | 78Ball/96Ball |
Verfügbares Modul:
Teilenummer 1) | Dichte | Organisation | Komponentenzusammensetzung | Anzahl von | Höhe |
4 GB UDIMM | 4GB | 512Mx64 | 512Mx16 * 4 | 1 | 31,25 mm |
8 GB UDIMM | 8 GB | 1Gx64 | 1Gx8 * 8 | 1 | 31,25 mm |
16-GB-UDIMM | 16 GIGABYTE | 2Gx64 | 1Gx8 * 16 | 2 | 31,25 mm |
4 GB SODIMM | 4GB | 512Mx64 | 512Mx16 * 4 | 1 | 30mm |
8 GB SODIMM | 8 GB | 1Gx64 | 1Gx8 * 8 | 1 | 30mm |
16 GB SODIMM | 16 GIGABYTE | 2Gx64 | 1Gx8 * 16 | 2 | 30mm |
HINWEIS:
1) (2133 Mbit/s 15-15-15) / (2400 Mbit/s 17-17-17) / (2666 Mbit/s 19-19-19) / (3200 Mbit/s 22-22-22) / (3200 Mbit/s 16-18-18) – DDR{ {12}}(3200 Mbit/s 16-18-18) ist abwärtskompatibel zu niedrigeren Frequenzen.
HAUPTMERKMALE
Geschwindigkeit | DDR4-2133 | DDR4-2400 | DDR4-2666 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | Einheit |
15-15-15 | 17-17-17 | 19-19-19 | 22-22-22 | 19-19-19 | 16-18-18 | ||
tCK(min) | 0.938 | 0.833 | 0.75 | 0.625 | 0.625 | 0.625 | ns |
CAS-Latenz | 15 | 17 | 19 | 22 | 19 | 16 | nCK |
tRCD(min) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | ns |
tRP(min) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | ns |
tRAS(min) | 33 | 32 | 32 | 32.5 | 30.0 | 22.5 | ns |
tRC(min) | 47.06 | 46.16 | 46.25 | 46.25 | 41.875 | 33.75 | ns |
● Stromversorgung nach JEDEC-Standard 1,2 V ± 0,06 V
●VDDQ= 1.2V ± 0.06 V
●1067 MHz fCKfür 2133Mb/sec/pin,1200MHz fCKfür 2400 Mb/s/pin 1333 MHz fCK für 2666 Mb/s/pin, 1600 MHz fCK für 3200 Mb/s/pin
●16 Banken (4 Bankgruppen)
●Programmierbare CAS-Latenz: 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22
●Programmierbare additive Latenz (gepostetes CAS): 0, CL - 2 oder CL - 1 Clock
●Programmierbare CAS-Schreiblatenz (CWL)=11,14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR4-2400) und 14,18 (DDR4- 2666) • Burstlänge : 8, 4 mit tCCD=4, das kein nahtloses Lesen oder Schreiben erlaubt [entweder On-the-Fly mit A12 oder MRS]
●Bidirektionaler differenzieller Datenblitz
●On-Die-Terminierung mit ODT-Pin
●Durchschnittliche Aktualisierungsperiode 7,8 us bei weniger als TCASE 85 C, 3,9 us bei 85 C < TCASE 95 C
●Asynchrones Zurücksetzen
FUNKTIONSBLOCKDIAGRAMM für:
4 GB, 512 MB x 64 Module (bestückt als 1 Rang von x16 DDR4 SDRAMs)

HINWEIS :
1) Sofern nicht anders angegeben, sind die Widerstandswerte 150 Ω 5 Prozent.
2) ZQ-Widerstände sind 2400Ω 1 Prozent. Alle anderen Widerstandswerte entnehmen Sie bitte dem entsprechenden Schaltplan.
8 GB, 1 Gx64-Modul (belegt als 1 Rang von x 8 DDR4 SDRAMs)

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