DRAM-MODUL

DRAM-MODUL

Unser Konzernunternehmen wurde 2008 gegründet und ist seit fast 15 Jahren im OEM-Flash-Speicherbereich, OEM-DRAM-Modul, OEM-SSD, OEM-USB-FLASH-LAUFWERK, OEM-TF-KARTE, als professioneller OEM-Flash-Speicherlieferant tätig. Wir haben uns darauf konzentriert, Service für große Markenkunden anzubieten , Haupthändler und Länderverteiler. Um Händler und Länderhändler besser zu unterstützen, haben wir sowohl in Hongkong als auch in ShenZhen regelmäßig fertige Waren. Wir haben jeden Monat mehr als 1 Million Stück verkauft.

Wir unterstützen hauptsächlich DDR3, DDR4 für Kunden, die auch SSD-Geschäfte tätigen, für Markenkunden oder Computerfabriken, wir haben auch LPDDR, das jetzt nur große Mobiltelefon- und IPAD-Kunden in China Inland und einige Smartwatch-Kunden unterstützt. Mit seiner hohen Leistung und seinem geringeren Verbrauch eignet es sich gut für kleine intelligente Geräte.


Dram/LPDDR Technischer Parameter:

PRODUKTKATEGORIE

SPEZIFIKATION /
MAX. DATENRATE

DICHTE

PAKET

BETRIEBS
TEMPERATUR

DRAM

DRAM-D3

2 GB / 4 GB

FBGA 96 Kugel

25 Grad ~85 Grad

DRAM-D4

4 GB / 8 GB

FBGA 96 Kugel


DRAM-Modul

U-DIMM

4 GB / 8 GB / 16 GB / 32 GB

/

0 Grad - 85 Grad

SO-DIMM




R-DIMM

8GB/16GB/32GB

/

0 Grad - 85 Grad

LPDDR

LP-DDR4

2 GB / 3 GB / 4 GB / 6 GB / 8 GB

200Ball

0 Grad - 70 Grad


Spezifikationen:

Produktmodell Nr.

Spezifikation

Dichte

Abmessungen

Paket

DRAM-U-DIMM
/SO-DIMM

8 GB X8/X16
1,2 V*2666/2933/3200 Mbps

8 GB

7,5 x 13,3 mm
(W x L)

78Ball/96Ball

DRAM-U-DIMM
/SOD-IMM

16 GB X8/X16
1,2 V*2666/2933/3200 Mbps

16 GIGABYTE

10,3 x 11 mm
(W x L)

78Ball/96Ball

DRAM-U-DIMM
/SO-DIMM

32 GB X8/X16
1,2 V*2666/2933/3200 Mbps

32 GB

10,3 x 11 mm
(W x L)

78Ball/96Ball


Verfügbares Modul:

Teilenummer 1)

Dichte

Organisation

Komponentenzusammensetzung

Anzahl von
Rang

Höhe

4 GB UDIMM

4GB

512Mx64

512Mx16 * 4

1

31,25 mm

8 GB UDIMM

8 GB

1Gx64

1Gx8 * 8

1

31,25 mm

16-GB-UDIMM

16 GIGABYTE

2Gx64

1Gx8 * 16

2

31,25 mm

4 GB SODIMM

4GB

512Mx64

512Mx16 * 4

1

30mm

8 GB SODIMM

8 GB

1Gx64

1Gx8 * 8

1

30mm

16 GB SODIMM

16 GIGABYTE

2Gx64

1Gx8 * 16

2

30mm

HINWEIS:

1) (2133 Mbit/s 15-15-15) / (2400 Mbit/s 17-17-17) / (2666 Mbit/s 19-19-19) / (3200 Mbit/s 22-22-22) ​​/ (3200 Mbit/s 16-18-18) – DDR{ {12}}(3200 Mbit/s 16-18-18) ist abwärtskompatibel zu niedrigeren Frequenzen.


HAUPTMERKMALE

Geschwindigkeit

DDR4-2133

DDR4-2400

DDR4-2666

DDR4-3200

DDR4-3200

DDR4-3200

Einheit

15-15-15

17-17-17

19-19-19

22-22-22

19-19-19

16-18-18

tCK(min)

0.938

0.833

0.75

0.625

0.625

0.625

ns

CAS-Latenz

15

17

19

22

19

16

nCK

tRCD(min)

14.06

14.16

14.25

13.75

11.875

11.25

ns

tRP(min)

14.06

14.16

14.25

13.75

11.875

11.25

ns

tRAS(min)

33

32

32

32.5

30.0

22.5

ns

tRC(min)

47.06

46.16

46.25

46.25

41.875

33.75

ns


● Stromversorgung nach JEDEC-Standard 1,2 V ± 0,06 V

●VDDQ= 1.2V ± 0.06 V

●1067 MHz fCKfür 2133Mb/sec/pin,1200MHz fCKfür 2400 Mb/s/pin 1333 MHz fCK für 2666 Mb/s/pin, 1600 MHz fCK für 3200 Mb/s/pin

●16 Banken (4 Bankgruppen)

●Programmierbare CAS-Latenz: 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22

●Programmierbare additive Latenz (gepostetes CAS): 0, CL - 2 oder CL - 1 Clock


●Programmierbare CAS-Schreiblatenz (CWL)=11,14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR4-2400) und 14,18 (DDR4- 2666) ​​• Burstlänge : 8, 4 mit tCCD=4, das kein nahtloses Lesen oder Schreiben erlaubt [entweder On-the-Fly mit A12 oder MRS]

●Bidirektionaler differenzieller Datenblitz

●On-Die-Terminierung mit ODT-Pin

●Durchschnittliche Aktualisierungsperiode 7,8 us bei weniger als TCASE 85 C, 3,9 us bei 85 C < TCASE  95 C

●Asynchrones Zurücksetzen


FUNKTIONSBLOCKDIAGRAMM für:

4 GB, 512 MB x 64 Module (bestückt als 1 Rang von x16 DDR4 SDRAMs)


image003


HINWEIS :

1) Sofern nicht anders angegeben, sind die Widerstandswerte 150 Ω 5 Prozent.

2) ZQ-Widerstände sind 2400Ω 1 Prozent. Alle anderen Widerstandswerte entnehmen Sie bitte dem entsprechenden Schaltplan.

8 GB, 1 Gx64-Modul (belegt als 1 Rang von x 8 DDR4 SDRAMs)


image006


Beliebte label: dram Modul, Großhandel, Preis, Masse, Erstausrüster, 1 GB Pendrive, Kompakter Flash -Speicherkartenadapter, DDR, Mikrokarte zum USB -Adapter, USB -Flash -Controller

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