
NEUE M.2 PCIE NVME SSD 256 GB 512 GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1.PRODUKTSPEZIFIKATIONEN Kapazität − 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB − Unterstützt den 32-Bit-Adressierungsmodus Elektrische/physikalische Schnittstelle − PCIe-Schnittstelle − Konform mit NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 Lane und abwärtskompatibel zu...
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7
1. PRODUKTSPEZIFIKATIONEN
Kapazität
− 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB
− Unterstützt den 32-Bit-Adressierungsmodus
Elektrische/physikalische Schnittstelle
− PCIe-Schnittstelle
− Konform mit NVMe 1.3
− PCIe Express Base Version 3.1
− PCIe Gen 3 x 4 Lane und abwärtskompatibel zu PCIe Gen 2 und Gen 1
− Unterstützt bis zu QD 128 mit einer Warteschlangentiefe von bis zu 64 KB
− Unterstützen Sie die Energieverwaltung
Unterstützter NAND-Flash
− Unterstützt bis zu 16 Flash Chip Enables (CE) in einem einzigen Design
− Unterstützt bis zu 4 Stück BGA132-Flash
− Unterstützt 8-Bit-E/A-NAND-Flash
− Unterstützt die Schnittstellen Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 und ONFI 4.0
Samsung V6 3D NAND
Hynix V7 3D NAND
ECC-Programm
− HG2283 PCIe SSD wendet LDPC des ECC-Algorithmus an.
Unterstützung der Sektorgröße
− 512B
− 4 KB
UART/GPIO
Unterstützt SMART- und TRIM-Befehle
LBA-Bereich
− IDEMA-Standard
Leistung
Leistung von HG2283 plus Hynix V7 (1200 Mbit/s)
|
Kapazität |
Flash-Struktur (BGA-Paket) |
CE-Nr. |
Blitztyp |
Sequentiell (CDM) |
IOMeter |
||
|
Lesen (MB/s) |
Schreiben (MB/s) |
Lesen (IOPS) |
Schreiben (IOPS) |
||||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
BGA132, Hynix V7 |
1650 |
1100 |
195K |
260K |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
1850 |
360K |
450K |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2090 |
360K |
475K |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
ANMERKUNGEN:
1. Die Leistung basierte auf Hynix V7 TLC NAND-Flash.
ENERGIEVERBRAUCH
|
Kapazität |
Flash-Konfiguration (BGA-Paket) |
|
Energieverbrauch3 |
|
|
|
Lesen (mW) |
Schreiben (mW) |
PS3 (mW) |
PS4 (mW) |
||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2940 |
2530 |
50 |
5 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4120 |
3400 |
50 |
5 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
4090 |
3390 |
50 |
5 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
4050 |
3380 |
50 |
5 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
4440 |
3810 |
50 |
5 |
ANMERKUNGEN:
1. Gemessene Daten basierend auf Hynix V7 512Gb Mono-Die-TLC-Flash.
2. Der Stromverbrauch wird während der von IOMeter durchgeführten sequentiellen Lese- und Schreibvorgänge gemessen.
Flash-Management
1.4.1. Fehlerkorrekturcode (ECC)
Flash-Speicherzellen verschlechtern sich mit der Zeit, was zu zufälligen Bitfehlern in den gespeicherten Daten führen kann. Daher wendet die HG2283 PCIe SSD den LDPC (Low Density Parity Check) des ECC-Algorithmus an, der während des Lesevorgangs auftretende Fehler erkennen und korrigieren, sicherstellen kann, dass Daten korrekt gelesen wurden, und Daten vor Beschädigung schützt.
1.4.2. Verschleißnivellierung
NAND-Flash-Geräte können nur eine begrenzte Anzahl von Programmier-/Löschzyklen durchlaufen. Wenn Flash-Medien nicht gleichmäßig genutzt werden, werden einige Blöcke häufiger aktualisiert als andere und die Lebensdauer des Geräts würde sich erheblich verkürzen. Daher wird Wear Leveling angewendet, um die Lebensdauer von NAND-Flash zu verlängern, indem Schreib- und Löschzyklen gleichmäßig auf das Medium verteilt werden.
HosinGlobal bietet einen fortschrittlichen Wear-Leveling-Algorithmus, der die Flash-Nutzung effizient über den gesamten Flash-Medienbereich verteilen kann. Darüber hinaus wird durch die Implementierung sowohl dynamischer als auch statischer Wear-Leveling-Algorithmen die Lebenserwartung des NAND-Flashs erheblich verbessert.
1.4.3. Verwaltung fehlerhafter Blöcke
Fehlerhafte Blöcke sind Blöcke, die nicht richtig funktionieren oder mehr ungültige Bits enthalten, was zu einer Instabilität der gespeicherten Daten führt und deren Zuverlässigkeit nicht garantiert ist. Blöcke, die vom Hersteller als fehlerhaft identifiziert und gekennzeichnet werden, werden als „Early Bad Blocks“ bezeichnet. Fehlerhafte Blöcke, die während der Lebensdauer des Flashs entstehen, werden als „spätere fehlerhafte Blöcke“ bezeichnet. HosinGlobal implementiert einen effizienten Algorithmus zur Verwaltung fehlerhafter Blöcke, um werkseitig erstellte fehlerhafte Blöcke zu erkennen und fehlerhafte Blöcke zu verwalten, die bei der Verwendung auftreten. Diese Vorgehensweise verhindert, dass Daten in fehlerhaften Blöcken gespeichert werden, und verbessert die Datenzuverlässigkeit weiter.
1.4.4. TRIMMEN
TRIM ist eine Funktion, die dazu beiträgt, die Lese-/Schreibleistung und Geschwindigkeit von Solid-State-Laufwerken (SSD) zu verbessern. Im Gegensatz zu Festplattenlaufwerken (HDD) sind SSDs nicht in der Lage, vorhandene Daten zu überschreiben, sodass der verfügbare Speicherplatz mit jeder Nutzung allmählich kleiner wird. Mit dem TRIM-Befehl kann das Betriebssystem die SSD informieren, sodass nicht mehr verwendete Datenblöcke dauerhaft entfernt werden können. Somit führt die SSD den Löschvorgang aus, der jederzeit verhindert, dass ungenutzte Daten Blöcke belegen.
1.4.5. SCHLAU
SMART, ein Akronym für Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, ist ein offener Standard, der es einem Solid-State-Laufwerk ermöglicht, seinen Zustand automatisch zu erkennen und potenzielle Fehler zu melden. Wenn SMART einen Fehler aufzeichnet, können Benutzer das Laufwerk austauschen, um einen unerwarteten Ausfall oder Datenverlust zu verhindern. Darüber hinaus kann SMART Benutzer über drohende Ausfälle informieren, während noch Zeit für proaktive Maßnahmen bleibt, wie z. B. das Speichern von Daten auf einem anderen Gerät.
1.4.6. Überversorgung
Unter Over Provisioning versteht man die Beibehaltung zusätzlicher Bereiche über die Benutzerkapazität hinaus in einer SSD, die für Benutzer nicht sichtbar sind und von ihnen nicht genutzt werden können. Es ermöglicht einem SSD-Controller jedoch, zusätzlichen Platz für eine bessere Leistung und WAF zu nutzen. Mit Over Provisioning werden Leistung und IOPS (Input/Output Operations per Second) verbessert, indem dem Controller zusätzlicher Platz für die Verwaltung von P/E-Zyklen zur Verfügung gestellt wird, was auch die Zuverlässigkeit und Ausdauer erhöht. Darüber hinaus wird die Schreibverstärkung der SSD geringer, wenn die
Der Controller schreibt Daten in den Flash.
1.4.7. Firmware-Upgrade
Firmware kann als eine Reihe von Anweisungen dazu betrachtet werden, wie das Gerät mit dem Host kommuniziert. Die Firmware kann aktualisiert werden, wenn neue Funktionen hinzugefügt, Kompatibilitätsprobleme behoben oder die Lese-/Schreibleistung verbessert wird.
1.4.8. Thermische Drosselung
Der Zweck der thermischen Drosselung besteht darin, zu verhindern, dass Komponenten in einer SSD während Lese- und Schreibvorgängen überhitzen. HG2283 ist mit einem On-Die-Wärmesensor und mit seiner Genauigkeit ausgestattet; Die Firmware kann unterschiedliche Drosselungsstufen anwenden, um den Schutzzweck effizient und proaktiv über SMART Reading zu erreichen.
1.5. Erweiterte Gerätesicherheitsfunktionen
1.5.1. Sicher löschen
Secure Erase ist ein Standardbefehl im NVMe-Format und schreibt alle „0x00“, um alle Daten auf Festplatten und SSDs vollständig zu löschen. Wenn dieser Befehl ausgegeben wird, löscht der SSD-Controller seine Speicherblöcke und kehrt zu seinen werkseitigen Standardeinstellungen zurück.
1.5.2. Kryptolöschung
Crypto Erase ist eine Funktion, die alle Daten einer OPAL-aktivierten SSD oder eines „SED“-Laufwerks (Security-Enabled Disk) löscht, indem der kryptografische Schlüssel der Festplatte zurückgesetzt wird. Da der Schlüssel geändert wird, werden die zuvor verschlüsselten Daten unbrauchbar, wodurch der Zweck der Datensicherheit erreicht wird.
1.5.3. Physische Präsenz-SID (PSID)
Die Physical Presence SID (PSID) wird von TCG OPAL als 32--Zeichenfolge definiert und dient dazu, die SSD auf ihre Werkseinstellung zurückzusetzen, wenn das Laufwerk noch OPAL-aktiviert ist. Der PSID-Code kann auf ein SSD-Etikett gedruckt werden, wenn eine OPAL-aktivierte SSD die PSID-Revert-Funktion unterstützt.
1.6. SSD-Lebensdauerverwaltung
1.6.1. Geschriebene Terabyte (TBW)
TBW (Terabytes Written) ist ein Maß für die erwartete Lebensdauer von SSDs, das die Datenmenge darstellt
auf das Gerät geschrieben. Um das TBW einer SSD zu berechnen, wird die folgende Gleichung angewendet:
TBW (TBW) = [(NAND-Ausdauer) x (SSD-Kapazität)] / [WAF]
NAND-Ausdauer: NAND-Ausdauer bezieht sich auf den P/E-Zyklus (Programmieren/Löschen) eines NAND-Flashs.
SSD-Kapazität: Die SSD-Kapazität ist die spezifische Gesamtkapazität einer SSD.
WAF: Write Amplification Factor (WAF) ist ein numerischer Wert, der das Verhältnis zwischen der Datenmenge, die ein SSD-Controller schreiben muss, und der Datenmenge, die der Flash-Controller des Hosts schreibt, darstellt. Eine bessere WAF, die nahe bei 1 liegt, garantiert eine bessere Ausdauer und eine geringere Häufigkeit, mit der Daten in den Flash-Speicher geschrieben werden.
TBW in diesem Dokument basiert auf der Arbeitslast JEDEC 218/219.
1.6.2. Medienverschleißanzeige
Der vom SMART-Attribut-Byte-Index [5] gemeldete Indikator für die tatsächliche Lebensdauer, Prozentsatz der Nutzung, empfiehlt dem Benutzer, das Laufwerk auszutauschen, wenn 100 Prozent erreicht sind.
1.6.3. Nur-Lese-Modus (Lebensende)
Wenn das Laufwerk durch kumulierte Programmier-/Löschzyklen altert, kann ein abgenutztes Medium zu einer zunehmenden Anzahl späterer fehlerhafter Blöcke führen. Wenn die Anzahl der verwendbaren guten Blöcke außerhalb eines definierten nutzbaren Bereichs liegt, benachrichtigt das Laufwerk den Host über ein AER-Ereignis und eine kritische Warnung, um in den Nur-Lese-Modus zu wechseln, um eine weitere Datenbeschädigung zu verhindern. Der Benutzer sollte sofort damit beginnen, das Laufwerk durch ein anderes zu ersetzen.
1.7. Adaptiver Ansatz zur Leistungsoptimierung
1.7.1. Durchsatz
Basierend auf dem verfügbaren Speicherplatz auf der Festplatte reguliert HG2283 die Lese-/Schreibgeschwindigkeit und verwaltet die Durchsatzleistung. Wenn noch viel Platz vorhanden ist, führt die Firmware kontinuierlich Lese-/Schreibvorgänge aus. Es besteht immer noch keine Notwendigkeit, eine Garbage Collection zu implementieren, um Speicher zuzuweisen und freizugeben, wodurch die Lese-/Schreibverarbeitung beschleunigt und die Leistung verbessert wird. Wenn im Gegensatz dazu der Speicherplatz aufgebraucht ist, verlangsamt HG2283 die Lese-/Schreibverarbeitung und implementiert eine Garbage Collection, um Speicher freizugeben. Daher wird die Lese-/Schreibleistung langsamer.
1.7.2. Vorhersagen und Abrufen
Wenn der Host versucht, Daten von der PCIe-SSD zu lesen, führt die PCIe-SSD normalerweise nur eine Leseaktion aus, nachdem sie einen Befehl empfangen hat. Allerdings wendet HG2283 Predict & Fetch an, um die Lesegeschwindigkeit zu verbessern. Wenn der Host sequentielle Lesebefehle an die PCIe-SSD ausgibt, erwartet die PCIe-SSD automatisch, dass es sich bei den folgenden Befehlen auch um Lesebefehle handelt. Somit hat Flash die Daten bereits vor dem Empfang des nächsten Befehls vorbereitet. Dadurch wird die Datenverarbeitungszeit beschleunigt und der Host muss nicht so lange auf den Empfang von Daten warten.
1.7.3. SLC-Caching
Das Firmware-Design des HG2283 verwendet derzeit dynamisches Caching, um eine bessere Leistung für eine bessere Ausdauer und ein besseres Benutzererlebnis für den Verbraucher zu liefern.
3.1. Umgebungsbedingungen 3.1.1. Temperatur und Luftfeuchtigkeit
Tabelle 3-1 Hohe Temperatur
|
|
Temperatur |
Feuchtigkeit |
|
Betrieb |
70 Grad |
0 Prozent relative Luftfeuchtigkeit |
|
Lagerung |
85 Grad |
0 Prozent relative Luftfeuchtigkeit |
Tabelle 3-2 Niedrige Temperatur
|
|
Temperatur |
Feuchtigkeit |
|
Betrieb |
0 Grad |
0 Prozent relative Luftfeuchtigkeit |
|
Lagerung |
-40 Grad |
0 Prozent relative Luftfeuchtigkeit |
Tabelle 3-3 Hohe Luftfeuchtigkeit
|
|
Temperatur |
Feuchtigkeit |
|
Betrieb |
40 Grad |
90 Prozent relative Luftfeuchtigkeit |
|
Lagerung |
40 Grad |
93 Prozent relative Luftfeuchtigkeit |
Tabelle 3-4 Temperaturwechsel
|
|
Temperatur |
|
Betrieb |
0 Grad |
|
70 Grad1 |
|
|
Lagerung |
-40 Grad |
|
85 Grad |
Anmerkungen:
1. Die Betriebstemperatur wird anhand der Gehäusetemperatur gemessen, die über den vorgeschlagenen SMART Airflow bestimmt werden kann und ermöglicht, dass das Gerät in einer Umgebung mit hoher Arbeitsbelastung bei der richtigen Temperatur für jede Komponente betrieben wird.
3.1.2. Schock
Tabelle 3-5 Schock
|
|
Beschleunigungskraft |
|
Nicht betriebsbereit |
1500G |
3.1.3. Vibration
Tabelle 3-6 Vibration
|
|
Kond |
ition |
|
Frequenz/Verschiebung |
Frequenz/Beschleunigung |
|
|
Nicht betriebsbereit |
20 Hz ~ 80 Hz/1,52 mm |
80 Hz ~ 2000 Hz/20 G |
3.1.4. Tropfen
Tabelle 3-7 Drop
|
|
|
Fallhöhe |
|
|
Anzahl der Tropfen |
|
Nicht betriebsbereit |
|
80 cm freier Fall |
|
|
6 Gesichter jeder Einheit |
|
3.1.5. Biegen |
Tisch 3-8 Biegen |
|
|
||
|
|
|
Gewalt |
|
|
Aktion |
|
Nicht betriebsbereit |
|
Größer oder gleich 20 N |
|
|
1 Minute/5 Mal gedrückt halten |
|
3.1.6. Drehmoment |
Tabelle 3-9 Drehmoment |
|
|
||
|
|
|
Gewalt |
|
|
Aktion |
|
Nicht betriebsbereit |
|
0,5 Nm oder ±2,5 Grad |
|
|
1 Minute/5 Mal gedrückt halten |
|
3.1.7. Elektrostatische Entladung (ESD) |
Tabelle 3-10 ESD |
|
|
||
|
Spezifikation |
|
|
plus /- 4KV |
|
|
|
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 und IEC 61000-4-2 |
Die Gerätefunktionen sind beeinträchtigt, das EUT kehrt jedoch automatisch in den Normal- oder Betriebszustand zurück. |
||||
4. ELEKTRISCHE SPEZIFIKATIONEN
4.1. Versorgungsspannung
Tabelle 4-1 Versorgungsspannung
|
Parameter |
Bewertung |
|
Betriebsspannung |
Min.=3,14 V Max.=3,47 V |
|
Anstiegszeit (Max/Min) |
10 ms / 0,1 ms |
|
Abfallzeit (Max/Min) |
1500 ms / 1 ms |
|
Mindest. Freizeit1 |
1500 ms |
NOTIZ:
1. Mindestzeit zwischen dem Entfernen der Stromversorgung von der SSD (Vcc < 100 mV) und dem erneuten Anlegen der Stromversorgung an das Laufwerk.
4.2. Energieverbrauch
Tabelle 4-2 Stromverbrauch in mW
|
Kapazität |
Flash-Konfiguration |
CE-Nr. |
Lesen (Max) |
Schreiben (Max) |
Lesen (Durchschn.) |
Schreiben (Durchschn.) |
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
3200 |
2930 |
2940 |
2530 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
4650 |
4560 |
4120 |
3400 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
5260 |
4190 |
4090 |
3390 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
5350 |
6070 |
4050 |
3380 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
6320 |
6650 |
4440 |
3810 |
ANMERKUNGEN:
Basierend auf der APF1Mxxx-Serie bei Umgebungstemperatur.
Der Durchschnittswert des Stromverbrauchs wird basierend auf einem Umwandlungswirkungsgrad von 100 Prozent erreicht.
Die gemessene Netzspannung beträgt 3,3V.
Die Temperatur eines Speichergeräts in PS1 sollte bei allen Arbeitslasten konstant bleiben oder leicht sinken, sodass die tatsächliche Leistung in PS1 niedriger als PS0 sein sollte.
Die Temperatur eines Speichergeräts in PS2 sollte bei allen Arbeitslasten stark sinken, sodass die tatsächliche Leistung in PS2 niedriger sein sollte als in PS1.
5. SCHNITTSTELLE
5.1. Pin-Belegung und Beschreibungen
Tabelle {{0}} definiert die Signalzuordnung des internen NGFF-Anschlusses für die SSD-Nutzung, beschrieben in der PCI Express M.2-Spezifikation Version 1.0 der PCI-SIG.
Tabelle 5-1 Pin-Belegung und Beschreibung von HG2283 M.2 2280
|
Pin-Nr. |
PCIe-Pin |
Beschreibung |
|
1 |
GND |
CONFIG_3=GND |
|
2 |
3.3V |
3,3-V-Quelle |
|
3 |
GND |
Boden |
|
4 |
3.3V |
3,3-V-Quelle |
|
5 |
PETn3 |
PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
6 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
7 |
PETp3 |
PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
8 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
9 |
GND |
Boden |
|
10 |
LED1# |
Open Drain, aktives Low-Signal. Diese Signale werden verwendet, damit die Zusatzkarte Statusanzeigen über LED-Geräte bereitstellen kann, die vom System bereitgestellt werden. |
|
11 |
PERn3 |
PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
12 |
3.3V |
3,3-V-Quelle |
|
13 |
PERp3 |
PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
14 |
3.3V |
3,3-V-Quelle |
|
15 |
GND |
Boden |
|
16 |
3.3V |
3,3-V-Quelle |
|
17 |
PETn2 |
PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
18 |
3.3V |
3,3-V-Quelle |
|
19 |
PETp2 |
PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
20 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
21 |
GND |
Boden |
|
22 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
23 |
PERn2 |
PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
24 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
25 |
PERp2 |
PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
26 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
27 |
GND |
Boden |
|
28 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
29 |
PETn1 |
PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
30 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
31 |
PETp1 |
PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
32 |
GND |
Boden |
|
33 |
GND |
Boden |
|
34 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
35 |
PERn1 |
PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
36 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
37 |
PERp1 |
PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
Pin-Nr. |
PCIe-Pin |
Beschreibung |
|
38 N/C |
Keine Verbindung |
|
|
39 Masse |
Boden |
|
|
40 SMB_CLK (E/A) (0/1,8 V) |
SMBus-Uhr; Offener Abfluss mit Hochziehmöglichkeit auf der Plattform |
|
|
41 |
PETn0 |
PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
42 |
SMB{{0}}DATEN (E/A)(0/1,8 V) |
SMBus-Daten; Offener Abfluss mit Hochziehmöglichkeit auf der Plattform. |
|
43 |
PETp0 |
PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
44 |
ALERT#(O) (0/1,8V) |
Alarmbenachrichtigung an den Master; Offener Abfluss mit Hochziehmöglichkeit auf der Plattform; Aktiv niedrig. |
|
45 |
GND |
Boden |
|
46 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
47 |
PERn0 |
PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
48 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
49 |
PERp0 |
PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation |
|
50 |
PEST#(I)(0/3,3V) |
PE-Reset ist ein funktionaler Reset der Karte gemäß der PCIe Mini CEM-Spezifikation. |
|
51 |
GND |
Boden |
|
52 |
CLKREQ#(I/O)(0/3,3V) |
Clock Request ist ein Referenztaktanforderungssignal gemäß der Definition in der PCIe Mini CEM-Spezifikation. Wird auch von L1-PM-Unterstaaten verwendet. |
|
53 |
REFCLKn |
PCIe-Referenztaktsignale (100 MHz), definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation. |
|
54 |
PEWAKE#(I/O)(0/3,3V) |
PCIe PME Wake. Offener Abfluss mit hochziehbarer Plattform; Aktiv niedrig. |
|
55 |
REFCLKp |
PCIe-Referenztaktsignale (100 MHz), definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation. |
|
56 |
Reserviert für MFG DATA |
Fertigungsdatenleitung. Wird nur für die SSD-Herstellung verwendet. Wird im Normalbetrieb nicht verwendet. Die Stifte sollten im Plattformsockel N/C bleiben. |
|
57 |
GND |
Boden |
|
58 |
Reserviert für MFG CLOCK |
Herstellung einer Uhrenlinie. Wird nur für die SSD-Herstellung verwendet. Wird im Normalbetrieb nicht verwendet. Die Stifte sollten im Plattformsockel N/C bleiben. |
|
59 |
Modulschlüssel M |
Modulschlüssel |
|
60 |
Modulschlüssel M |
|
|
61 |
Modulschlüssel M |
|
|
62 |
Modulschlüssel M |
|
|
63 |
Modulschlüssel M |
|
|
64 |
Modulschlüssel M |
|
|
65 |
Modulschlüssel M |
|
|
66 |
Modulschlüssel M |
|
|
67 |
N/C |
Keine Verbindung |
|
68 |
SUSCLK(32KHz) (I)(0/3.3V) |
32,768-kHz-Taktversorgungseingang, der vom Plattform-Chipsatz bereitgestellt wird, um den Stromverbrauch und die Kosten für das Modul zu reduzieren. |
|
69 |
NC |
CONFIG_1=Keine Verbindung |
|
70 |
3.3V |
3,3-V-Quelle |
|
71 |
GND |
Boden |
|
72 |
3.3V |
3,3-V-Quelle |
|
73 |
GND |
Boden |
|
74 |
3.3V |
3,3-V-Quelle |
|
75 |
GND |
CONFIG_2=Masse |
Formfaktor: M.2 2280 S2
Abmessungen: 80,00mm (L) x 22,00mm (B) x 2,15 mm (H)
|
Blickrichtung |
Diagramm |
|
Spitze |
![]()
|
|
Unterseite |
|
|
Blickrichtung |
Diagramm |
|
Seite |
|
|
|
|

Abbildung 7-1 Mechanisches Diagramm und Abmessungen des Produkts
8. ANWENDUNGSHINWEISE
8.1. Vorsichtsmaßnahmen für die Handhabung von Wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP).
Auf einem einzigen SSD-Gerät sind viele Komponenten montiert. Bitte gehen Sie vorsichtig mit dem Laufwerk um, insbesondere wenn es über WLCSP-Komponenten (Wafer Level Chip Scale Packaging) wie PMIC, Thermosensor oder Lastschalter verfügt. WLCSP ist eine der Verpackungstechnologien, die weithin zur Herstellung kleinerer Stellflächen eingesetzt wird. Allerdings können Stöße oder Kratzer diese ultrakleinen Teile beschädigen, weshalb eine schonende Handhabung dringend empfohlen wird.
Lassen Sie die SSD NICHT fallen
SSD SORGFÄLTIG INSTALLIEREN
Zerrissene SSD in einer richtigen Verpackung
8.2. Vorsichtsmaßnahmen für den Zusammenbau der M Key M.2 SSD
Die M Key M.2 SSD (Abbildung 1) ist nur mit dem M Key-Sockel (Abbildung 2) kompatibel. Wie in Anwendungsfall 2 gezeigt, kann unsachgemäßer Gebrauch schwere Schäden an der SSD verursachen, einschließlich Durchbrennen.
Abbildung 8-1 M Key M.2 Vorsichtsmaßnahmen beim Zusammenbau

Beliebte label: NEUE M.2 PCIE NVME SSD 256 GB 512 GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7, China NEUE M.2 PCIE NVME SSD 256 GB 512 GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7, Memory Stick Duo Adapter an SD, Memory Stick Duo zum SD -Adapter, Speicherstock microSD -Adapter, Micro SD -Kartenadapter USB, Micro SD -USB -Adapter, USB CF -Kartenadapter
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