NEUE M.2 PCIE NVME SSD 256 GB 512 GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7
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M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
2280 NVME 1TB
2280 NVME PCIE 1TB
HG2263+V7
NVME 1T
2280 PCIE NVME 1TB
BULK USB PACKAGE
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NEUE M.2 PCIE NVME SSD 256 GB 512 GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7

M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1.PRODUKTSPEZIFIKATIONEN Kapazität − 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB − Unterstützt den 32-Bit-Adressierungsmodus Elektrische/physikalische Schnittstelle − PCIe-Schnittstelle − Konform mit NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 Lane und abwärtskompatibel zu...

                                               M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7

 

1. PRODUKTSPEZIFIKATIONEN

 

Kapazität

− 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB

− Unterstützt den 32-Bit-Adressierungsmodus

Elektrische/physikalische Schnittstelle

− PCIe-Schnittstelle

− Konform mit NVMe 1.3

− PCIe Express Base Version 3.1

− PCIe Gen 3 x 4 Lane und abwärtskompatibel zu PCIe Gen 2 und Gen 1

− Unterstützt bis zu QD 128 mit einer Warteschlangentiefe von bis zu 64 KB

− Unterstützen Sie die Energieverwaltung

Unterstützter NAND-Flash

− Unterstützt bis zu 16 Flash Chip Enables (CE) in einem einzigen Design

− Unterstützt bis zu 4 Stück BGA132-Flash

− Unterstützt 8-Bit-E/A-NAND-Flash

− Unterstützt die Schnittstellen Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 und ONFI 4.0

Samsung V6 3D NAND

Hynix V7 3D NAND

ECC-Programm

− HG2283 PCIe SSD wendet LDPC des ECC-Algorithmus an.

Unterstützung der Sektorgröße

   − 512B

− 4 KB

UART/GPIO

Unterstützt SMART- und TRIM-Befehle

LBA-Bereich

− IDEMA-Standard

 

 

Leistung                 

 

Leistung von HG2283 plus Hynix V7 (1200 Mbit/s)

Kapazität

Flash-Struktur (BGA-Paket)

CE-Nr.

Blitztyp

Sequentiell (CDM)

IOMeter

Lesen (MB/s)

Schreiben (MB/s)

Lesen (IOPS)

Schreiben (IOPS)

128 GB

DDP x 1

2

BGA132, Hynix V7

1650

1100

195K

260K

256 GB

DDP x 2

4

BGA132, Hynix V7

3100

1850

360K

450K

512 GB

QDP x 2

8

BGA132, Hynix V7

3100

2090

360K

475K

1024 GB

QDP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

2048 GB

ODP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

ANMERKUNGEN:

1. Die Leistung basierte auf Hynix V7 TLC NAND-Flash.

 

ENERGIEVERBRAUCH

Kapazität

Flash-Konfiguration (BGA-Paket)

 

Energieverbrauch3

 

Lesen (mW)

Schreiben (mW)

PS3 (mW)

PS4 (mW)

128 GB

DDP x 1

2940

2530

50

5

256 GB

DDP x 2

4120

3400

50

5

512 GB

QDP x 2

4090

3390

50

5

1024 GB

QDP x 4

4050

3380

50

5

2048 GB

ODP x 4

4440

3810

50

5

ANMERKUNGEN:

1. Gemessene Daten basierend auf Hynix V7 512Gb Mono-Die-TLC-Flash.

2. Der Stromverbrauch wird während der von IOMeter durchgeführten sequentiellen Lese- und Schreibvorgänge gemessen.

 

Flash-Management

1.4.1. Fehlerkorrekturcode (ECC)

Flash-Speicherzellen verschlechtern sich mit der Zeit, was zu zufälligen Bitfehlern in den gespeicherten Daten führen kann. Daher wendet die HG2283 PCIe SSD den LDPC (Low Density Parity Check) des ECC-Algorithmus an, der während des Lesevorgangs auftretende Fehler erkennen und korrigieren, sicherstellen kann, dass Daten korrekt gelesen wurden, und Daten vor Beschädigung schützt.

 

1.4.2. Verschleißnivellierung

NAND-Flash-Geräte können nur eine begrenzte Anzahl von Programmier-/Löschzyklen durchlaufen. Wenn Flash-Medien nicht gleichmäßig genutzt werden, werden einige Blöcke häufiger aktualisiert als andere und die Lebensdauer des Geräts würde sich erheblich verkürzen. Daher wird Wear Leveling angewendet, um die Lebensdauer von NAND-Flash zu verlängern, indem Schreib- und Löschzyklen gleichmäßig auf das Medium verteilt werden.

 

HosinGlobal bietet einen fortschrittlichen Wear-Leveling-Algorithmus, der die Flash-Nutzung effizient über den gesamten Flash-Medienbereich verteilen kann. Darüber hinaus wird durch die Implementierung sowohl dynamischer als auch statischer Wear-Leveling-Algorithmen die Lebenserwartung des NAND-Flashs erheblich verbessert.

 

1.4.3. Verwaltung fehlerhafter Blöcke

Fehlerhafte Blöcke sind Blöcke, die nicht richtig funktionieren oder mehr ungültige Bits enthalten, was zu einer Instabilität der gespeicherten Daten führt und deren Zuverlässigkeit nicht garantiert ist. Blöcke, die vom Hersteller als fehlerhaft identifiziert und gekennzeichnet werden, werden als „Early Bad Blocks“ bezeichnet. Fehlerhafte Blöcke, die während der Lebensdauer des Flashs entstehen, werden als „spätere fehlerhafte Blöcke“ bezeichnet. HosinGlobal implementiert einen effizienten Algorithmus zur Verwaltung fehlerhafter Blöcke, um werkseitig erstellte fehlerhafte Blöcke zu erkennen und fehlerhafte Blöcke zu verwalten, die bei der Verwendung auftreten. Diese Vorgehensweise verhindert, dass Daten in fehlerhaften Blöcken gespeichert werden, und verbessert die Datenzuverlässigkeit weiter.

 

1.4.4. TRIMMEN

TRIM ist eine Funktion, die dazu beiträgt, die Lese-/Schreibleistung und Geschwindigkeit von Solid-State-Laufwerken (SSD) zu verbessern. Im Gegensatz zu Festplattenlaufwerken (HDD) sind SSDs nicht in der Lage, vorhandene Daten zu überschreiben, sodass der verfügbare Speicherplatz mit jeder Nutzung allmählich kleiner wird. Mit dem TRIM-Befehl kann das Betriebssystem die SSD informieren, sodass nicht mehr verwendete Datenblöcke dauerhaft entfernt werden können. Somit führt die SSD den Löschvorgang aus, der jederzeit verhindert, dass ungenutzte Daten Blöcke belegen.

 

1.4.5. SCHLAU

SMART, ein Akronym für Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, ist ein offener Standard, der es einem Solid-State-Laufwerk ermöglicht, seinen Zustand automatisch zu erkennen und potenzielle Fehler zu melden. Wenn SMART einen Fehler aufzeichnet, können Benutzer das Laufwerk austauschen, um einen unerwarteten Ausfall oder Datenverlust zu verhindern. Darüber hinaus kann SMART Benutzer über drohende Ausfälle informieren, während noch Zeit für proaktive Maßnahmen bleibt, wie z. B. das Speichern von Daten auf einem anderen Gerät.

 

1.4.6. Überversorgung

Unter Over Provisioning versteht man die Beibehaltung zusätzlicher Bereiche über die Benutzerkapazität hinaus in einer SSD, die für Benutzer nicht sichtbar sind und von ihnen nicht genutzt werden können. Es ermöglicht einem SSD-Controller jedoch, zusätzlichen Platz für eine bessere Leistung und WAF zu nutzen. Mit Over Provisioning werden Leistung und IOPS (Input/Output Operations per Second) verbessert, indem dem Controller zusätzlicher Platz für die Verwaltung von P/E-Zyklen zur Verfügung gestellt wird, was auch die Zuverlässigkeit und Ausdauer erhöht. Darüber hinaus wird die Schreibverstärkung der SSD geringer, wenn die

Der Controller schreibt Daten in den Flash.

 

1.4.7. Firmware-Upgrade

Firmware kann als eine Reihe von Anweisungen dazu betrachtet werden, wie das Gerät mit dem Host kommuniziert. Die Firmware kann aktualisiert werden, wenn neue Funktionen hinzugefügt, Kompatibilitätsprobleme behoben oder die Lese-/Schreibleistung verbessert wird.

 

1.4.8. Thermische Drosselung

Der Zweck der thermischen Drosselung besteht darin, zu verhindern, dass Komponenten in einer SSD während Lese- und Schreibvorgängen überhitzen. HG2283 ist mit einem On-Die-Wärmesensor und mit seiner Genauigkeit ausgestattet; Die Firmware kann unterschiedliche Drosselungsstufen anwenden, um den Schutzzweck effizient und proaktiv über SMART Reading zu erreichen.

 

1.5. Erweiterte Gerätesicherheitsfunktionen

1.5.1. Sicher löschen

Secure Erase ist ein Standardbefehl im NVMe-Format und schreibt alle „0x00“, um alle Daten auf Festplatten und SSDs vollständig zu löschen. Wenn dieser Befehl ausgegeben wird, löscht der SSD-Controller seine Speicherblöcke und kehrt zu seinen werkseitigen Standardeinstellungen zurück.

 

1.5.2. Kryptolöschung

Crypto Erase ist eine Funktion, die alle Daten einer OPAL-aktivierten SSD oder eines „SED“-Laufwerks (Security-Enabled Disk) löscht, indem der kryptografische Schlüssel der Festplatte zurückgesetzt wird. Da der Schlüssel geändert wird, werden die zuvor verschlüsselten Daten unbrauchbar, wodurch der Zweck der Datensicherheit erreicht wird.

 

1.5.3. Physische Präsenz-SID (PSID)

Die Physical Presence SID (PSID) wird von TCG OPAL als 32--Zeichenfolge definiert und dient dazu, die SSD auf ihre Werkseinstellung zurückzusetzen, wenn das Laufwerk noch OPAL-aktiviert ist. Der PSID-Code kann auf ein SSD-Etikett gedruckt werden, wenn eine OPAL-aktivierte SSD die PSID-Revert-Funktion unterstützt.

 

1.6. SSD-Lebensdauerverwaltung

1.6.1. Geschriebene Terabyte (TBW)

TBW (Terabytes Written) ist ein Maß für die erwartete Lebensdauer von SSDs, das die Datenmenge darstellt

auf das Gerät geschrieben. Um das TBW einer SSD zu berechnen, wird die folgende Gleichung angewendet:

TBW (TBW) = [(NAND-Ausdauer) x (SSD-Kapazität)] / [WAF]

NAND-Ausdauer: NAND-Ausdauer bezieht sich auf den P/E-Zyklus (Programmieren/Löschen) eines NAND-Flashs.

SSD-Kapazität: Die SSD-Kapazität ist die spezifische Gesamtkapazität einer SSD.

WAF: Write Amplification Factor (WAF) ist ein numerischer Wert, der das Verhältnis zwischen der Datenmenge, die ein SSD-Controller schreiben muss, und der Datenmenge, die der Flash-Controller des Hosts schreibt, darstellt. Eine bessere WAF, die nahe bei 1 liegt, garantiert eine bessere Ausdauer und eine geringere Häufigkeit, mit der Daten in den Flash-Speicher geschrieben werden.

 

TBW in diesem Dokument basiert auf der Arbeitslast JEDEC 218/219.

 

1.6.2. Medienverschleißanzeige

Der vom SMART-Attribut-Byte-Index [5] gemeldete Indikator für die tatsächliche Lebensdauer, Prozentsatz der Nutzung, empfiehlt dem Benutzer, das Laufwerk auszutauschen, wenn 100 Prozent erreicht sind.

 

1.6.3. Nur-Lese-Modus (Lebensende)

Wenn das Laufwerk durch kumulierte Programmier-/Löschzyklen altert, kann ein abgenutztes Medium zu einer zunehmenden Anzahl späterer fehlerhafter Blöcke führen. Wenn die Anzahl der verwendbaren guten Blöcke außerhalb eines definierten nutzbaren Bereichs liegt, benachrichtigt das Laufwerk den Host über ein AER-Ereignis und eine kritische Warnung, um in den Nur-Lese-Modus zu wechseln, um eine weitere Datenbeschädigung zu verhindern. Der Benutzer sollte sofort damit beginnen, das Laufwerk durch ein anderes zu ersetzen.

 

1.7. Adaptiver Ansatz zur Leistungsoptimierung

1.7.1. Durchsatz

Basierend auf dem verfügbaren Speicherplatz auf der Festplatte reguliert HG2283 die Lese-/Schreibgeschwindigkeit und verwaltet die Durchsatzleistung. Wenn noch viel Platz vorhanden ist, führt die Firmware kontinuierlich Lese-/Schreibvorgänge aus. Es besteht immer noch keine Notwendigkeit, eine Garbage Collection zu implementieren, um Speicher zuzuweisen und freizugeben, wodurch die Lese-/Schreibverarbeitung beschleunigt und die Leistung verbessert wird. Wenn im Gegensatz dazu der Speicherplatz aufgebraucht ist, verlangsamt HG2283 die Lese-/Schreibverarbeitung und implementiert eine Garbage Collection, um Speicher freizugeben. Daher wird die Lese-/Schreibleistung langsamer.

1.7.2. Vorhersagen und Abrufen

Wenn der Host versucht, Daten von der PCIe-SSD zu lesen, führt die PCIe-SSD normalerweise nur eine Leseaktion aus, nachdem sie einen Befehl empfangen hat. Allerdings wendet HG2283 Predict & Fetch an, um die Lesegeschwindigkeit zu verbessern. Wenn der Host sequentielle Lesebefehle an die PCIe-SSD ausgibt, erwartet die PCIe-SSD automatisch, dass es sich bei den folgenden Befehlen auch um Lesebefehle handelt. Somit hat Flash die Daten bereits vor dem Empfang des nächsten Befehls vorbereitet. Dadurch wird die Datenverarbeitungszeit beschleunigt und der Host muss nicht so lange auf den Empfang von Daten warten.

1.7.3. SLC-Caching

Das Firmware-Design des HG2283 verwendet derzeit dynamisches Caching, um eine bessere Leistung für eine bessere Ausdauer und ein besseres Benutzererlebnis für den Verbraucher zu liefern.

 

3. UMWELTSPEZIFIKATIONEN

 

3.1. Umgebungsbedingungen 3.1.1. Temperatur und Luftfeuchtigkeit

 

Tabelle 3-1 Hohe Temperatur

 

Temperatur

Feuchtigkeit

Betrieb

70 Grad

0 Prozent relative Luftfeuchtigkeit

Lagerung

85 Grad

0 Prozent relative Luftfeuchtigkeit

 

Tabelle 3-2 Niedrige Temperatur

 

Temperatur

Feuchtigkeit

Betrieb

0 Grad

0 Prozent relative Luftfeuchtigkeit

Lagerung

-40 Grad

0 Prozent relative Luftfeuchtigkeit

 

Tabelle 3-3 Hohe Luftfeuchtigkeit

 

Temperatur

Feuchtigkeit

Betrieb

40 Grad

90 Prozent relative Luftfeuchtigkeit

Lagerung

40 Grad

93 Prozent relative Luftfeuchtigkeit

 

Tabelle 3-4 Temperaturwechsel

 

Temperatur

Betrieb

0 Grad

70 Grad1

Lagerung

-40 Grad

85 Grad

 

Anmerkungen:

1. Die Betriebstemperatur wird anhand der Gehäusetemperatur gemessen, die über den vorgeschlagenen SMART Airflow bestimmt werden kann und ermöglicht, dass das Gerät in einer Umgebung mit hoher Arbeitsbelastung bei der richtigen Temperatur für jede Komponente betrieben wird.

 

3.1.2. Schock

Tabelle 3-5 Schock

 

Beschleunigungskraft

Nicht betriebsbereit

1500G

 

3.1.3. Vibration

Tabelle 3-6 Vibration

 

Kond

ition

Frequenz/Verschiebung

Frequenz/Beschleunigung

Nicht betriebsbereit

20 Hz ~ 80 Hz/1,52 mm

80 Hz ~ 2000 Hz/20 G

 

3.1.4. Tropfen

Tabelle 3-7 Drop

 

 

Fallhöhe

 

 

Anzahl der Tropfen

Nicht betriebsbereit

 

80 cm freier Fall

 

 

6 Gesichter jeder Einheit

 

3.1.5. Biegen

Tisch 3-8 Biegen

 

 

 

 

Gewalt

 

 

Aktion

Nicht betriebsbereit

 

Größer oder gleich 20 N

 

 

1 Minute/5 Mal gedrückt halten

 

3.1.6. Drehmoment

Tabelle 3-9 Drehmoment

 

 

 

 

Gewalt

 

 

Aktion

Nicht betriebsbereit

 

0,5 Nm oder ±2,5 Grad

 

 

1 Minute/5 Mal gedrückt halten

 

3.1.7. Elektrostatische Entladung (ESD)

Tabelle 3-10 ESD

 

 

Spezifikation

 

 

plus /- 4KV

 

EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 und IEC 61000-4-2

Die Gerätefunktionen sind beeinträchtigt, das EUT kehrt jedoch automatisch in den Normal- oder Betriebszustand zurück.

 

4. ELEKTRISCHE SPEZIFIKATIONEN

 

4.1. Versorgungsspannung

Tabelle 4-1 Versorgungsspannung

Parameter

Bewertung

Betriebsspannung

Min.=3,14 V Max.=3,47 V

Anstiegszeit (Max/Min)

10 ms / 0,1 ms

Abfallzeit (Max/Min)

1500 ms / 1 ms

Mindest. Freizeit1

1500 ms

NOTIZ:

1. Mindestzeit zwischen dem Entfernen der Stromversorgung von der SSD (Vcc < 100 mV) und dem erneuten Anlegen der Stromversorgung an das Laufwerk.

 

4.2. Energieverbrauch

Tabelle 4-2 Stromverbrauch in mW

Kapazität

Flash-Konfiguration

CE-Nr.

Lesen (Max)

Schreiben (Max)

Lesen

(Durchschn.)

Schreiben (Durchschn.)

128 GB

DDP x 1

2

3200

2930

2940

2530

256 GB

DDP x 2

4

4650

4560

4120

3400

512 GB

QDP x 2

8

5260

4190

4090

3390

1024 GB

QDP x 4

16

5350

6070

4050

3380

2048 GB

ODP x 4

16

6320

6650

4440

3810

ANMERKUNGEN:

Basierend auf der APF1Mxxx-Serie bei Umgebungstemperatur.

Der Durchschnittswert des Stromverbrauchs wird basierend auf einem Umwandlungswirkungsgrad von 100 Prozent erreicht.

Die gemessene Netzspannung beträgt 3,3V.

Die Temperatur eines Speichergeräts in PS1 sollte bei allen Arbeitslasten konstant bleiben oder leicht sinken, sodass die tatsächliche Leistung in PS1 niedriger als PS0 sein sollte.

Die Temperatur eines Speichergeräts in PS2 sollte bei allen Arbeitslasten stark sinken, sodass die tatsächliche Leistung in PS2 niedriger sein sollte als in PS1.

 

 

5. SCHNITTSTELLE

 

5.1. Pin-Belegung und Beschreibungen

Tabelle {{0}} definiert die Signalzuordnung des internen NGFF-Anschlusses für die SSD-Nutzung, beschrieben in der PCI Express M.2-Spezifikation Version 1.0 der PCI-SIG.

 

Tabelle 5-1 Pin-Belegung und Beschreibung von HG2283 M.2 2280

Pin-Nr.

PCIe-Pin

Beschreibung

1

GND

CONFIG_3=GND

2

3.3V

3,3-V-Quelle

3

GND

Boden

4

3.3V

3,3-V-Quelle

5

PETn3

PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

6

N/C

Keine Verbindung

7

PETp3

PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

8

N/C

Keine Verbindung

9

GND

Boden

10

LED1#

Open Drain, aktives Low-Signal. Diese Signale werden verwendet, damit die Zusatzkarte Statusanzeigen über LED-Geräte bereitstellen kann, die vom System bereitgestellt werden.

11

PERn3

PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

12

3.3V

3,3-V-Quelle

13

PERp3

PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

14

3.3V

3,3-V-Quelle

15

GND

Boden

16

3.3V

3,3-V-Quelle

17

PETn2

PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

18

3.3V

3,3-V-Quelle

19

PETp2

PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

20

N/C

Keine Verbindung

21

GND

Boden

22

N/C

Keine Verbindung

23

PERn2

PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

24

N/C

Keine Verbindung

25

PERp2

PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

26

N/C

Keine Verbindung

27

GND

Boden

28

N/C

Keine Verbindung

29

PETn1

PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

30

N/C

Keine Verbindung

31

PETp1

PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

32

GND

Boden

33

GND

Boden

34

N/C

Keine Verbindung

35

PERn1

PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

36

N/C

Keine Verbindung

37

PERp1

PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

 

 

Pin-Nr.

PCIe-Pin

Beschreibung

38 N/C

Keine Verbindung

39 Masse

Boden

40 SMB_CLK (E/A) (0/1,8 V)

SMBus-Uhr; Offener Abfluss mit Hochziehmöglichkeit auf der Plattform

41

PETn0

PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

42

SMB{{0}}DATEN (E/A)(0/1,8 V)

SMBus-Daten; Offener Abfluss mit Hochziehmöglichkeit auf der Plattform.

43

PETp0

PCIe TX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

44

ALERT#(O) (0/1,8V)

Alarmbenachrichtigung an den Master; Offener Abfluss mit Hochziehmöglichkeit auf der Plattform; Aktiv niedrig.

45

GND

Boden

46

N/C

Keine Verbindung

47

PERn0

PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

48

N/C

Keine Verbindung

49

PERp0

PCIe RX Differenzsignal, definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation

50

PEST#(I)(0/3,3V)

PE-Reset ist ein funktionaler Reset der Karte gemäß der PCIe Mini CEM-Spezifikation.

51

GND

Boden

52

CLKREQ#(I/O)(0/3,3V)

Clock Request ist ein Referenztaktanforderungssignal gemäß der Definition in der PCIe Mini CEM-Spezifikation. Wird auch von L1-PM-Unterstaaten verwendet.

53

REFCLKn

PCIe-Referenztaktsignale (100 MHz), definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation.

54

PEWAKE#(I/O)(0/3,3V)

PCIe PME Wake.

Offener Abfluss mit hochziehbarer Plattform; Aktiv niedrig.

55

REFCLKp

PCIe-Referenztaktsignale (100 MHz), definiert durch die PCI Express M.2-Spezifikation.

56

Reserviert für MFG DATA

Fertigungsdatenleitung. Wird nur für die SSD-Herstellung verwendet.

Wird im Normalbetrieb nicht verwendet.

Die Stifte sollten im Plattformsockel N/C bleiben.

57

GND

Boden

58

Reserviert für MFG CLOCK

Herstellung einer Uhrenlinie. Wird nur für die SSD-Herstellung verwendet.

Wird im Normalbetrieb nicht verwendet.

Die Stifte sollten im Plattformsockel N/C bleiben.

59

Modulschlüssel M

Modulschlüssel

60

Modulschlüssel M

61

Modulschlüssel M

62

Modulschlüssel M

63

Modulschlüssel M

64

Modulschlüssel M

65

Modulschlüssel M

66

Modulschlüssel M

67

N/C

Keine Verbindung

68

SUSCLK(32KHz)

(I)(0/3.3V)

32,768-kHz-Taktversorgungseingang, der vom Plattform-Chipsatz bereitgestellt wird, um den Stromverbrauch und die Kosten für das Modul zu reduzieren.

69

NC

CONFIG_1=Keine Verbindung

70

3.3V

3,3-V-Quelle

71

GND

Boden

72

3.3V

3,3-V-Quelle

73

GND

Boden

74

3.3V

3,3-V-Quelle

75

GND

CONFIG_2=Masse

 

7. PHYSIKALISCHE DIMENSION

Formfaktor: M.2 2280 S2

Abmessungen: 80,00mm (L) x 22,00mm (B) x 2,15 mm (H)

 

Blickrichtung

Diagramm

Spitze

product-226-319product-266-169

 

Unterseite

product-477-537

 

Blickrichtung

Diagramm

Seite

      

product-215-578

 

product-759-182

Abbildung 7-1 Mechanisches Diagramm und Abmessungen des Produkts

 

8. ANWENDUNGSHINWEISE

8.1. Vorsichtsmaßnahmen für die Handhabung von Wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP).

Auf einem einzigen SSD-Gerät sind viele Komponenten montiert. Bitte gehen Sie vorsichtig mit dem Laufwerk um, insbesondere wenn es über WLCSP-Komponenten (Wafer Level Chip Scale Packaging) wie PMIC, Thermosensor oder Lastschalter verfügt. WLCSP ist eine der Verpackungstechnologien, die weithin zur Herstellung kleinerer Stellflächen eingesetzt wird. Allerdings können Stöße oder Kratzer diese ultrakleinen Teile beschädigen, weshalb eine schonende Handhabung dringend empfohlen wird.

 

product-37-32Lassen Sie die SSD NICHT fallen

product-37-32SSD SORGFÄLTIG INSTALLIEREN

product-37-32Zerrissene SSD in einer richtigen Verpackung

 

8.2. Vorsichtsmaßnahmen für den Zusammenbau der M Key M.2 SSD

Die M Key M.2 SSD (Abbildung 1) ist nur mit dem M Key-Sockel (Abbildung 2) kompatibel. Wie in Anwendungsfall 2 gezeigt, kann unsachgemäßer Gebrauch schwere Schäden an der SSD verursachen, einschließlich Durchbrennen.

 

 

Abbildung 8-1 M Key M.2 Vorsichtsmaßnahmen beim Zusammenbau

 

product-1007-439

 

 

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