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HG2283+Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
HG2283+Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
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HG2283 plus Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256 GB 512 GB 1T 2T

M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Samsung V6

                                             HG2283 plus Samsung V6M.2 2280 NVME SSD

 

1. PRODUKTSPEZIFIKATIONEN

 

Kapazität

− 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB

− Unterstützt den 32-Bit-Adressierungsmodus

Elektrische/physikalische Schnittstelle

− PCIe-Schnittstelle

− Konform mit NVMe 1.3

− PCIe Express Base Version 3.1

− PCIe Gen 3 x 4 Lane und abwärtskompatibel zu PCIe Gen 2 und Gen 1

− Unterstützt bis zu QD 128 mit einer Warteschlangentiefe von bis zu 64 KB

− Unterstützen Sie die Energieverwaltung

Unterstützter NAND-Flash

− Unterstützt bis zu 16 Flash Chip Enables (CE) in einem einzigen Design

− Unterstützt bis zu 4 Stück BGA132-Flash

− Unterstützt 8-Bit-E/A-NAND-Flash

− Unterstützt die Schnittstellen Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 und ONFI 4.0

Samsung V6 3D NAND

ECC-Programm

− HG2283 PCIe SSD wendet LDPC des ECC-Algorithmus an.

Unterstützung der Sektorgröße

   − 512B

− 4 KB

UART/GPIO

Unterstützt SMART- und TRIM-Befehle

LBA-Bereich

− IDEMA-Standard

 

Leistung:

TESTPLATTEFORM

Computer

GIGABYTE X570 AORUS MASTER

System

Windows 10

Zentralprozessor

AMD Ryzen7 5800X

HAUPTPLATINE

GIGABYTE X570 AORUS MASTER

DRAM

KingSton DDR4 3200 16G*2

Hauptfestplatte

SATA-SSD 256G

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

HG2283 512G TESTERGEBNIS:

Regler

Kapazität

Werkzeug

Artikel

Typ

Geschwindigkeit

HG2283

512 GB

AS SSD

Punktzahl(1GiB)

-

4051

Seq. R/W (1 GB)

Lesen

2976.58

Schreiben

1555.75

Punktzahl (10GiB)

-

2283

Seq. R/W (10 GB)

Lesen

2230.09

Schreiben

1712.57

CDM7 (MB/s)

SEQ Q8T1

Lesen

3367.66

Schreiben

1790.66

SEQ Q1T1

Lesen

2259.30

Schreiben

1803.77

RND Q32T16

Lesen

995.50

Schreiben

1662.81

RND Q1T1

Lesen

70.18

Schreiben

282.85

HG2283

512 GB

CDM7(IOPS)

SEQ Q8T1

Lesen

3211.65

Schreiben

1707.71

SEQ Q1T1

Lesen

2154.63

Schreiben

1720.21

RND Q32T16

Lesen

243043.21

Schreiben

405960.45

RND Q1T1

Lesen

17134.28

Schreiben

69056.15

CDM6

SEQ Q32T1

Lesen

3396.2

Schreiben

1782.9

RND Q8T8

Lesen

970.9

Schreiben

1670.9

RND Q32T1

Lesen

723.7

Schreiben

511.9

RND Q1T1

Lesen

70.05

Schreiben

273.2

CDM8 (MB/s)

SEQ Q8T1

Lesen

3335.62

Schreiben

1791.80

SEQ Q1T1

Lesen

1879.56

Schreiben

1796.48

RND Q32T1

Lesen

586.66

Schreiben

519.85

RND Q1T1

Lesen

69.65

Schreiben

278.21

CDM8 (IOPS)

SEQ Q8T1

Lesen

3181.10

Schreiben

1708.79

SEQ Q1T1

Lesen

1792.49

Schreiben

1713.25

RND Q32T1

Lesen

143228.27

Schreiben

126916.75

RND Q1T1

Lesen

17005.37

Schreiben

67922.85

ATTO

Übertragungsgröße: 8 MB

Lesen

3463683

Schreiben

3489660

HG2283

512 GB

HD-Melodie

SEQ(KB/s)

Lesen

3263578

Schreiben

3282038

RND 4K QD1(IOPS)

Lesen

18270

Schreiben

65945

RND 4K QD32 (IOPS)

Lesen

147577

Schreiben

108710

AIAD64

Max

Lineares Lesen

1852.6

Lineares Schreiben

1738.3

Amboss

Punktzahl

12923.25

H2-Testw

Schreiben

86.2

Verifizieren

868

 

AS SSD-Benchmark

product-752-709

 

product-733-689

 

product-728-689

 

CrystalDiskMark

 

product-758-545

product-759-552

product-761-545

product-756-544

product-747-686

product-761-563

product-761-555

 

ATTO_Datenträger_Benchmark

product-748-1147

Crystal Disk-Info

product-838-861

 

HD-Song

 

product-791-672

 

product-795-593

 

AIDA64 FESTPLATTE BENCHMARK

 

product-863-591

 

product-865-586

 

 

H2-TEST

product-719-589

product-734-608


Amboss-Speicherdienstprogramme

 

product-865-581

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